《研究成果のポイント》

◆ 二酸化バナジウム薄膜を層状物質である六方晶窒化ホウ素上に成長させることに成功。
◆ 六方晶窒化ホウ素を介することで、任意の材料上に二酸化バナジウム薄膜を載せることが可能に。
◆ フレキシブルエレクトロニクスやペーパーエレクトロニクスなどへの応用展開が期待。

【概要】

 大阪大学産業科学研究所の山本真人助教、田中秀和教授らの研究グループは、将来のエレクトロニクス材料として期待されている二酸化バナジウムを、どこへでも貼り付けられる材料である六方晶窒化ホウ素上に薄膜成長させることに世界ではじめて成功しました。
 これまで、二酸化バナジウムの薄膜成長は、主に硬いセラミックス材料上で行われていました。今回、山本助教、田中教授らの研究グループは、二酸化バナジウム薄膜を、どのような材料上へも自由自在に移し変えることのできる六方晶窒化ホウ素上に成長させ、実際にそれをポリマー材料や紙の上に移し変えることに成功しました。これにより、これまで作製が困難であった二酸化バナジウムを用いたフレキシブル素子やペーパー素子などの実現が今後期待されます。

詳細:https://www.sanken.osaka-u.ac.jp/toppage/hot_topics/topics_20181219-1/