東京大学 生産技術研究所の小林 正治 准教授らは、強誘電体であるHfO(二酸化ハフニウム)をゲート絶縁膜とするトランジスターがより低電圧で動作する仕組みを実験的に解明しました。さらに、HfOをトンネル層とする強誘電体トンネル接合(FTJ)メモリーが20nm径まで微細化可能なことを理論的に解明しました。これまで、強誘電体のHfOを使うと、消費電力が飛躍的に低いトランジスターとメモリーが作れると期待されていましたが、その動作原理と微細化の可能性は明らかになっていませんでした。

科学技術振興機構(JST)によると、この成果は、超低電圧で動作するNCFETと、超低消費電力で大容量なFTJメモリーの設計指針に大きく貢献するもので、今後IoTにおける端末デバイスの超低消費電力化、それによる高度なIoTネットワークの展開、そしてビッグデータに基づく社会サービスの充実につながると期待されるとのことです。

詳細:https://www.jst.go.jp/pr/announce/20181203/index.html